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IRF7603
1000
800
V GS
C is s
C rs s
C os s
=
=
=
=
0V , f = 1MH z
C gs + C g d , C ds SH OR TED
C gd
C ds +C gd
20
16
I D = 3.7 A
V DS = 24V
V DS = 15V
C iss
600
400
200
C o ss
C rss
12
8
4
FO R TEST C IRC U IT
0
1
10
100
A
0
0
4
8
12
16
SEE FIG UR E 9
20 24
28
A
100
V D S , Drain-to-Source V oltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
Q G , T otal G ate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O PER ATIO N IN T HIS AR EA LIMITE D
BY R DS (on)
10
T J = 1 50 °C
10
100μ s
1m s
T J = 25 °C
1
1
10 m s
V G S = 0 V
T J
0.1
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0 2.4
A
T A = 25 °C
= 15 0°C
S in gle Pu lse
0.1
0.1
1
10
A
100
V S D , Source-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , D rain-to-S ource Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
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